CHA5295
符合RoHS
24.5-26.5GHz高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA5295是一个高增益的三阶段
单片高功率放大器。它被设计为
了广泛的应用，从军事到
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通讯
系统。该
芯片的背面是两个RF和DC场。
这有助于简化组装过程。
该电路带有PM -HEMT制造
过程中， 0.25μm的栅极长度，经由通孔
基板，空气桥和电子束栅
光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
32
30
VD1 Vd2的
VG3 Vd3的
VG1 VG2 Vd2的
VG3 Vd3的
主要特点
■
性能： 24.5-26.5GHz
■
31dBm的输出功率@ 1分贝补偿。
■
18分贝
±
1分贝增益
■
直流功耗， 800毫安@ 6V
■
芯片尺寸： 4.01 X 2.52 X 0.05毫米
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
24,5
25
噘嘴@ 3分贝（ DBM）
PAE @ 1分贝（ ％ ）
噘嘴@ 1分贝（ DBM）
线性增益（dB ）
25,5
26
频率（GHz ）
26,5
27
27,5
典型的测量夹具
主要特点
TAMB 。 = 25°
C
符号
FOP
G
P1dB
Id
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
24.5
17
30
典型值
18
31
800
最大
26.5
单位
GHz的
dB
DBM
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA52953125 - 03年5月5日
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