CHA7114
符合RoHS
X波段高功率放大器
GaAs单片微波IC
VG2 Vd2的
描述
该CHA7114是单片两阶段
高砷化镓功率放大器设计
X波段的应用。
此装置被使用的UMS制
0.25微米功率pHEMT工艺，其中包括，
通过穿过基板和空气孔
桥梁。
为了简化装配过程：
•
在芯片的背面是RF和
直流接地
•
键合焊盘和背面侧有金
镀有共晶芯片的兼容性
附加方法和热压
粘接工艺。
VG1 Vd1的
IN
OUT
VG1 Vd1的
VG2 Vd2的
50
的Pout （ dBm的） & PAE （％） &增益（ dB）的
45
40
35
30
25
20
15
脉冲： 25μs的10 ％
10
8
8,5
9
9,5
10
10,5
11
11,5
12
频率（GHz ）
线性增益
噘嘴@ 4dBc
PAE @ 4dBc
主要特点
0.25微米功率pHEMT技术
8.5-11.5GHz频率范围
8W输出功率@ 4dBcp
高PAE ： > 40 ％@ 4dBcp
20分贝标称增益
静态偏置点： VD = 8V ，ID = 2A
芯片尺寸： 4.41 X 3.31 X 0.07毫米
主要特点
环境温度Tamb = + 25° （环境温度Tamb是在芯片的背面侧）的
C
VD = 8V ， ID（静态） = 2A ，脉冲宽度= 25μs的，占空比= 10 ％
符号
顶部
FOP
P_4dBcp
G
参数
工作温度范围
工作频率范围
输出功率@ 4dBcp @ 25 °
C
小信号增益@ 25 °
C
民
-40
8.5
典型值
最大
+80
11.5
单位
°
C
GHz的
W
dB
8
20
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献： DSCHA7114-0197 - 10年7月16日
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