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CHA7215-99F00 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA7215-99F00
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内容描述: X波段高功率放大器 [X-band High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 198 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA7215
符合RoHS
X波段高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA7215是单片的三阶段
砷化镓高功率放大器专为X
频带应用。
自置居所津贴一般为9W的输出功率
在相关的35 %的功率附加效率
4dBc和不匹配的高耐用性
负载。
此设备是使用0.25微米的制
功率pHEMT工艺,通孔包括,
通过在基片和空气桥。
IN
VG1R
VD1
VG2R
VD2
VG3R
VD3
● ●
● ●
● ●
OUT
VD1
VD2
VG3R
● ●
VD3
输出功率与频率@针= 19dBm
41
40,5
40
Ø ü TP ü吨P 2 O宽E R( D B M)
主要特点
0.25微米功率pHEMT技术
频段: 8.5 - 11.5GHz
输出功率: 39.5dBm的饱和
高线性增益: 28分贝
功率附加效率: 34 %@ 4dBc
静态偏置点: VD = 8V ,ID = 2.3A
芯片尺寸
:
5× 3.31 X 0.07毫米
39,5
39
38,5
38
37,5
37
36,5
36
35,5
35
8
8,5
9
9,5
10
10,5
11
11,5
12
Temp=-40°C
Temp=+20°C
Temp=+80°C
频率(GHz )
主要特点
VD = 8V , ID(静态) = 2.3A ,漏脉冲宽度= 25μs的,占空比= 10 %
符号
顶部
FOP
PAE_4dBc
PSAT
G
参数
工作温度范围
工作频率范围
功率附加效率@ 4dBc @ 20 °
C
饱和输出功率@ 20 °
C
小信号增益@ 20 °
C
-40
8.5
典型值
最大
+80
11.5
单位
°
C
GHz的
%
DBM
34
39.5
25
28
31
dB
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献: DSCHA72159287 - 09年10月14日
1/8
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09