CHA8100
符合RoHS
X波段HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA8100芯片是单片两
级高功率放大器专为X
频带应用。自置居所津贴提供
一般11W的输出功率， 40 ％的电力
附加效率和高鲁棒性
不匹配的输出。此外，它包括：
•
模拟偏置电路，使
它较不敏感的传播和芯片
环境。
•
集成的TTL接口，
能够用一个开关HPA
大于1 mA的电流消耗低
该电路被100％的DC和RF测试上
晶圆以确保性能达标。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺，经由通孔，包括
在基片和空气桥。
TI
Vc
TO9
TO8
VCTRL
Vc
Vc
TTL
电路
偏置
电路
IN
OUT
TTL
电路
偏置
电路
TO8
TI
Vc
TO9
VCTRL
Vc
Vc
主要特点
11W输出功率脉冲模式
高增益： > 18分贝@ 10GHz的
高PAE ： 40 ％@ 10GHz的
两个偏置模式：
芯片尺寸： 4.9 X 3.68 X 0.1毫米
3
- 数字控制由于TTL接口
- 模拟控制由于偏置电路
主要特点
VC = 9V ， IC （静态） = 2.1A ，脉冲宽度= 100μS ，占空比= 20 ％
符号
参数
民
典型值
顶部
工作温度范围（ 1 ）
-40
F_op
工作频率范围
9
P_sat
P_3dBc
G_lin
饱和输出功率@ 25 °
C
输出功率@ 3dBc @ 25 °
C
线性增益@ 25 °
C
17
12.5
11
18.5
最大
+80
10.5
单位
°
C
GHz的
W
W
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
（1 ）基准是在芯片的背面。
参考文献。 ： DSCHA81000069 - 10年3月10日
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