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CHK040A-SOA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHK040A-SOA
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内容描述: 40W功率封装晶体管 [40W Power Packaged Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 14 页 / 405 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHK040A-SOA
40W功率封装晶体管
氮化镓HEMT对SiC
描述
该CHK040A - SOA是一种无与伦比的
包装氮化镓高电子
迁移率晶体管。它提供了通用
和各种射频宽带解决方案
电源应用。它非常适合于多
目的应用,例如雷达和
电信
该CHK040A -SOA是在0.5微米开发
栅极长度的GaN HEMT工艺。它要求
外部匹配电路。
该CHK040A - SOA是一个陶瓷 - 提供
金属法兰功率封装提供的低
寄生和低热阻。
主要特点
增益(dB) , Pout的( dBm的) & PAE (%)
V
DS
= 50V ,我
D_Q
= 300毫安,频率= 3GHz的
脉冲模式
60
55
■宽带性能:最高3.5GHz的
■脉冲和连续波工作模式
■高功率: 45W >
■高效率:高达70 %
■直流偏置: V
DS
= 50V @我
D_Q
=300mA
■ MTTF > 10
6
小时@ TJ = 200℃
■符合RoHS法兰瓷封装
在3GHz脉冲模式
PAE
Id
3.3
3
50
45
40
35
30
2.7
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
25
20
15
10
5
0
收益
12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38
0.6
0.3
0
输入功率(dBm )
封装器件的固有性能
主要电气特性
TCASE = + 25 ° C,
脉冲模式,
F = 3GHz的,V
DS
= 50V ,我
D_Q
=300mA
符号
参数
16
G
SS
小信号增益
P
SAT
PAE
G
PAE_MAX
饱和输出功率
最大功率附加效率
在最大PAE相关增益
45
55
典型值
18
55
60
13
最大
-
-
-
-
单位
dB
W
%
dB
参考文献。 : DSCHK040ASOA3021 - 13年1月21日
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