CHK080A-SRA
80W功率封装晶体管
氮化镓HEMT对SiC
描述
该CHK080A - SRA是一个无与伦比的
包装氮化镓高电子
迁移率晶体管。它提供了通用
和各种射频宽带解决方案
电源应用。它非常适合于多
目的应用，例如雷达和
电信。
该CHK080A - SRA是在0.5微米开发
栅极长度的GaN HEMT工艺。它要求
外部匹配电路。
该CHK080A - SRA是一个可
陶瓷 - 金属
轮缘
动力
包
提供低寄生和低的热
性。
主要特点
增益（dB） ， Pout的（ dBm的） & PAE （％）
V
DS
= 50V ，我
D_Q
= 600毫安，频率= 3GHz的
脉冲模式
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
4
Id
3.5
3
2.5
2
1.5
收益
1
0.5
0
输入功率（dBm ）
包装设备的内在性能
主要电气特性
TCASE = + 25 ° C，
脉冲模式，
F = 3GHz的，V
DS
= 50V ，我
D_Q
=600mA
(I
D_Q
= 300毫安每个晶体管）
符号
参数
民
典型值
最大
单位
G
SS
小信号增益
17
-
dB
P
SAT
饱和输出功率
80
100
-
W
最大功率附加效率
PAE
50
65
-
%
G
PAE_MAX
在最大PAE相关增益
13
-
dB
参考文献。 ： DSCHK080A - SRA3148 - 13年6月28日
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
蝙蝠。 Charmille酒店 - 公园SILIC - 10 ，大道魁北克 - 91140维勒邦河畔伊薇特 - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 86 32 00 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 86 34 34
漏电流（ A）
■宽带性能：最高3.5GHz的
■脉冲和连续波工作模式
■高功率： 80W >
■高效率：高达70 ％
■直流偏置： V
DS
= 50V @我
D_Q
=600mA
■ MTTF > 10
6
小时@ TJ = 200℃
■符合RoHS法兰瓷封装
在3GHz脉冲模式
6.5
PAE
噘
6
5.5
5
4.5
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
