CND2050
0.5-11.5 GHz的除以4的静态预分频器
GaAs单片微波IC
描述
该CND2050是一个低功率消耗
和超高速分频器4
用0.6微米的GaAs自我制造
对齐植入MESFET制程。
设计是全差分输入/输出
允许直接驱动进50
Ω
负载。
该CND2050是SOIC8提供
封装形式。
UMS
CND2050
主要特点
非常广泛的工作频率范围
低功耗: 250mW的
单电源供电: + 5V或-5V
高输入灵敏度:
-10dBm @ 25℃ 10千兆赫
低相位噪声: -139dBc / Hz的在1KHz的
SOIC8塑料包装
主要特点
在环境温度Tamb = + 25°C
符号
VDD
VSS
PDISS
FMIN
FMAX
参数
偏置电源(与VSS = 0 )
偏置电源(与VDD = 0 )
功耗
最小输入频率
最大输入频率( VDD = 5V )
10
12
民
3.3
-6
90
典型值
5
-5
250
最大
6
-3.3
350
0.5
单位
V
V
mW
GHz的
GHz的
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCND20500257 -13 -九月-00
1/9
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09