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型号：	UID4N60
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内容描述：	N-CH 600V快速开关MOSFET [N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 3267 K
品牌：	UNITPOWER [ Unitpower Technology Limited ]

UI(D)4N60

N-CH 600V快速开关MOSFET

概述

用户界面（D ） 4N60是最高性能的沟

P沟道MOSFET的极端高密度，

它提供了出色的导通电阻和栅极电荷

对于大多数的同步降压转换器的

应用程序。

用户界面（ D） 4N60符合RoHS和绿色产品

要求， 100 ％保证EAS全

功能可靠性批准。

特点

先进的高密度Trench技术

超低栅极电荷

优秀与Cdv / dt的影响下降

100 ％保证EAS

绿色设备可用

产品综述

DSS

600V

应用

秒（上）

2.25

Ω

3.2A

高周波同步负载点的

降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA

网络式DC -DC电源系统

负荷开关

TO- 251 / TO- 252引脚配置

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

dv / dt的

英镑

漏源电压

漏电流

- 连续（T

= 25

℃

)

- 连续（T

= 100

℃

)

漏电流

*脉冲

(Note1)

参数

TO-251/TO-252

600

3.2

1.9

12.8

±30

(Note2)

(Note3)

4.5

0.45

-55到+ 150

300

团结一心

V / ns的

W/℃

℃

栅源电压

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

= 25℃)

-Derate 25以上

℃

工作和存储温度范围

从最大的铅焊接温度的目的， 1/8“

情况下持续5秒

热数据

符号

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值

最大

2.2

单位

℃/W

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