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MID-85A1C 参数 Datasheet PDF下载

MID-85A1C图片预览
型号: MID-85A1C
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内容描述: 侧面看包装PIN光电二极管 [SIDE LOOK PACKAGE PIN PHOTODIODE]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 37 K
品牌: UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]
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MID-85A1C
光电特性
@ T
A
=25
o
C
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
=0.1mA
Ee=0
反向暗电流
V
R
=10V
Ee=0
开路电压
上升时间
下降时间
光电流
λ=940nm
Ee=0.1mW/cm
R
L
=50KΩ
V
R
=5V ,
λ=940nm
Ee=0.1mW/cm
总电容
Ee=0
2
2
符号
V
( BR )R
I
D
V
OC
Tr
Tf
I
L
C
T
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
30
nA
350
50
50
9
mV
V
R
=10V
λ=940nm
纳秒
µA
pF
V
R
= 3V , F = 1MH
Z
25
典型的光 - 电特性曲线
4000
100
暗电流IR - pA的
电容C - pF的
3000
2000
1000
0
0
5
10
15
20
80
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
反向Volatage - V
R
图1中的暗电流VS反向电压
TEMP=25
o
C, EE = 0毫瓦/平方厘米
2
光( Ipamb / IP 25℃ )
反向电压 - V
R
图2电容比。反向电压
F = 1MHz时, EE = 0mW /厘米
2
o
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-30
-10
10
30
50
70
1000
暗电流IR - NA
100
10
1
0.1
0
20
40
60
80
100
Ambeint温度 -
o
C
图3光电流VS AMBIENT
温度
环境温度 -
o
C
图4中的暗电流VS环境温度
VR = 10 , EE = 0毫瓦/平方厘米
2
东贝光电科技有限公司
02/04/2002