MIE-324A4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-324A4
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内容描述：	铝镓砷/砷化镓高功率T-1封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs HIGH POWER T-1 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管高功率电源
文件页数/大小：	2 页 / 36 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

铝镓砷/砷化镓高功率T- 1包

红外发光二极管

描述

在MIE - 324A4是一种高功率红外eimtting

二极管的GaAs技术的AlGaAs窗

涂在水中成型透明塑料包装。

3.55±0.25

(.140±.010)

3.10±0.20

(.122±.008)

MIE-324A4

单位：mm （英寸）

包装尺寸

4.28±0.20

(.169±.008)

5.28±0.30

(.208±.012)

见注2

3.85

(.152)

特点

23.40MIN.

(.920)

阴极

高辐射功率高辐射强度

合适的ROR DC和高脉冲电流运行

标准的T -1（

3mm）封装，辐射角：40°

峰值波长

λp

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

0.50典型。

(.020)

1.00MIN.

(.039)

2.54NOM.

(.100)

见注3

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

@ T

=25

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

100

-55

C至+100

-55

C至+100

260

下5秒

单位

东贝光电科技有限公司

02/04/2002

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