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MIE-384A4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MIE-384A4
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内容描述: 铝镓砷/砷化镓T-1封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs T-1 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 33 K
品牌: UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]
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铝镓砷/砷化镓T- 1包
红外发光二极管
描述
在MIE - 384A4是利用红外发光二极管
用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。
它在水中成型透明塑料包装。
4.6±0.30
(.181)
3.1±0.20
(.122)
MIE-384A4
单位:mm (英寸)
包装尺寸
5.7
5.7
2.5
(.224)
2.5
(.10)
见注2
特点
l
l
l
l
l
l
23.40MIN.
(.920)
高辐射功率高辐射强度
适用于DC和高脉冲电流操作
特殊的T-1 (
φ
3mm)封装
峰值波长
λ
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si -光电探测器
辐射角度: ± 14 °
A
2.54
(.100)
C
0.50 TYP 。
(.020)
1.00MIN.
(.040)
注意事项:
1.公差为±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为0.4毫米( 0.0157" )最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大额定值
@ T
A
=25 C
参数
功耗
最大正向电流
连续正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
120
1
100
5
-55
o
C至+100
o
C
-55
o
C至+100
o
C
260
o
下5秒
单位
mW
A
mA
V
o
东贝光电科技有限公司
02/04/2002