MIE-514A4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-514A4
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内容描述：	铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管高功率电源
文件页数/大小：	2 页 / 36 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 514A4是在红外发光二极管

砷化镓技术的AlGaAs窗口涂层

封装在水清澈包。

7.62

(.300)

MIE-514A4

包装尺寸

φ5.05

(.200)

单位：mm （英寸）

5.47

(.215)

5.90

(.230)

1.00

(.040)

特点

见注2

FLAT为负极

高辐射功率和高radiantintensity

标准T - 1 3/4 （

5mm）封装

峰值波长

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

辐射角度： 16 °

2.54NOM.

(.100)

见注3

1.00MIN.

(.040)

0.50典型。

(.020)

23.40 MIN

(.920)

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

@ T

=25

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

100

-55℃至+ 100℃

单位

260

下5秒

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

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