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MIE-524A4 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MIE-524A4
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内容描述: 铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用: 二极管高功率电源
文件页数/大小: 2 页 / 35 K
品牌: UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]
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铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装
红外发光二极管
描述
在MIE - 524A4是利用红外发光二极管
用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。
它在水中成型透明塑料包装。
7.62
(.300)
MIE-524A4
包装尺寸
φ
5.05
(.200)
单位:mm (英寸)
5.47
(.215)
5.90
(.230)
1.00
(.040)
FLAT为负极
特点
l
23.40 MIN 。
(.920)
0.50典型。
(.020)
高辐射功率高辐射强度
适用于DC和高脉冲电流操作
标准T - 1 3/4 (
φ
5mm)封装,辐射角:20°
峰值波长
λ
p
= 940纳米
良好的光谱匹配Si -光电探测器
l
l
1.00MIN
(.040)
2.54
(.100)
l
l
A
C
注意事项:
1.公差为±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为1.5毫米( 0.059" )最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大额定值
'@ T
A
=25
o
C
参数
功耗
峰值正向电流( 300pps , 10μs的脉冲)
连续的正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
120
1
100
5
-55℃至+ 100℃
o
o
-55℃至+ 100℃
o
o
单位
mW
A
mA
V
260
o
下5秒
东贝光电科技有限公司
11/17/2000