MIE-526A2U 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-526A2U
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内容描述：	铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 33 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 526A2U是红外发光二极管

砷化镓技术的AlGaAs窗口涂层

成型柔和的粉红色透明的包。

MIE-526A2U

包装尺寸

φ5.05

(.200)

团结：毫米（英寸）

5.47

(.215)

7.62

(.300)

5.90

(.230)

特点

高辐射功率高辐射强度

标准T - 1 3/4 （

5mm）封装

峰值波长

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

辐射角度： 25 °

1.00

(.040)

FLAT为负极

23.4 0分钟。

(.920)

0.50 TYP 。

(.020)

1.00MIN

(.040)

2.54

(.100)

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从封装

绝对最大额定值

@ T

=25

参数

功耗

峰值正向电流（ 300pps ， 10μs的脉冲）

连续的正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

100

-55

C至+100

-55

C至+100

260

下5秒

单位

东贝光电科技有限公司

11/17/2000

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