砷化镓高功率T-1 3/4封装
红外发光二极管
描述
在MIE - 544A4是利用红外发光二极管
用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。
它在水中成型透明塑料包装。
7.62
(.300)
MIE-544A4
单位:mm (英寸)
包装尺寸
φ
5.05
(.199)
5.47
(.215)
5.90
(.230)
1.00
(.039)
见注2
FLAT为负极
特点
l
高辐射功率和高辐射intesity
适用于DC和高脉冲电流操作
标准T - 1 3/4 (
φ5mm)
包装,辐射角度: 40 °
峰值波长
λ
P
= 940纳米
良好的光谱匹配Si - photodetecto
2.54喃。
(.100)
见注3
0.50典型。
(.020)
23.40 MIN 。
(.921)
l
l
l
l
1.00MIN.
(.039)
A
C
注意事项:
1.公差为±0.25毫米( 0.010" ),除非另有说明。
下法兰2.出刃树脂为1.5毫米( 0.059" )最大。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
绝对最大额定值
@ T
A
=25
o
C
参数
功耗
最大正向电流
连续正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
最大额定值
100
1
50
5
-55℃至+ 100℃
o
o
-55℃至+ 100℃
o
o
单位
mW
A
mA
V
260
o
下5秒
东贝光电科技有限公司
11/17/2000