MIE-814A2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-814A2
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内容描述：	铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 35 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

铝镓砷/砷化镓T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 814A2是利用红外发光二极管

用砷化镓铝镓砷窗口涂层的芯片技术。

它在水中成型透明塑料包装。

6.70±0.20

(.264±.008)

5.00±0.20

(.197±.008)

MIE-814A2

包装尺寸

单位：mm （英寸）

1.30最大

(.051)

特点

2.00-

(.079)

0.50

(.020)

典型值28

(1.102)

高辐射功率和高辐射intesity

适用于DC和高脉冲电流操作

峰值波长

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

2.54NOM.

(.100)

2.00±1.00

(.079±.039)

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

@ T

=25 C

参数

功耗

最大正向电流

连续正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

150

100

-55

C至+100

-55

C至+100

260

下5秒

单位

东贝光电科技有限公司

02/04/2002

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