MIE-824L3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-824L3
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内容描述：	砷化镓高功率T-1 3/4封装红外发光二极管 [GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管高功率电源
文件页数/大小：	2 页 / 34 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

砷化镓高功率T-1 3/4封装

红外发光二极管

描述

在MIE - 824L3是利用红外发光二极管

用砷化镓铝镓砷窗口coation芯片技术。

它在水中成型透明塑料包装。

φ5.00

(.197)

MIE-824L3

单位：英寸

包装尺寸

4.30

(.169)

5.80

(.228)

见注2

1.00

(.039)

FLAT为负极

特点

0.50典型。

(.020)

23.40 MIN 。

(.921)

高辐射功率和高辐射intesity

标准T - 1 3/4 （

5mm）封装

峰值波长

= 940纳米

良好的光谱匹配Si -光电探测器

辐射角度： 80 °

2.54喃。

(.100)

见注3

1.00MIN.

(.039)

注意事项：

1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。

下法兰2.出刃树脂为1.5毫米（ 0.059" ）最大。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

绝对最大额定值

@ T

=25

参数

功耗

最大正向电流

连续正向电流

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

最大额定值

120

100

-55

C至+100

-55

C至+100

260

下5秒

单位

东贝光电科技有限公司

02/04/2002

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