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    UT4422 参数 Datasheet PDF下载

    UT4422图片预览
    型号： UT4422
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    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 250 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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    UT4422
    TYPICAL CHARACTERISTICS
    Power MOSFET
    Drain Current,I
    D
    (A)
    Drain to Source On-Resistance,
    R
    DS(ON)
    (mΩ)
    On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
    60
    Drain to Source On-Resistance,
    R
    DS(ON)
    (mΩ)
    50
    40
    30
    20
    10
    2
    125°С
    I
    D
    =10A
    Reverse Drain Current,I
    S
    (A)
    1.0E+01
    1.0E+00
    1.0E-01
    1.0E-02
    1.0E-03
    1.0E-04
    1.0E-05
    0.0
    Normalized On-Resistance
    Drain Current,I
    D
    (A)
    Body-Diode Characteristics
    125°С
    25°С
    25°С
    Pulse width
    ≤80μs,
    duty cycle
    ≤0.5%.
    Pulse width
    ≤80μs,
    duty cycle
    ≤0.5%.
    6
    8
    4
    Gate to Source Voltage,V
    GS
    (V)
    10
    1.0
    0.4
    0.6
    0.2
    0.8
    Body Diode Forward Voltage,V
    SD
    (V)
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    4 of 6
    QW-R502-206.B

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