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型号: 10N60
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内容描述: 10安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 233 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
10N60
10安培, 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
描述
UTC 10N60
是高电压和高电流的功率MOSFET,
设计成具有更好的特性,如快速切换时间,低
栅极电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用, PWM马达控制,高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* 10A , 600V ,R
DS ( ON)
=0.73Ω@V
GS
=10V
*低栅极电荷(典型的44 NC)
*低的Crss (典型值18 pF的)
*快速切换
* 100 %的雪崩测试
*改进dv / dt能力
*无铅电镀产品编号: 10N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
10N60-x-TA3-T
10N60L-x-TA3-T
TO-220
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
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©2007 Unisonic技术有限公司
1 7
QW-R502-119.A