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型号: 10N65
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内容描述: 10A , 650V N沟道功率MOSFET [10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 336 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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10N65
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编)
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
650
V
栅源电压
V
GSS
± 30
V
雪崩电流(注2)
I
AR
10
A
10
A
连续
I
D
漏电流
脉冲(注2)
I
DM
38
A
700
mJ
单脉冲(注3 )
E
AS
雪崩能量
重复的(注2)
E
AR
15.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
156
W
功耗TO- 220F / TO- 220F1
P
D
50
W
TO-263
178
W
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 14.2mH ,我
AS
= 10A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
9.5A , di / dt的
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
TO-220
结到外壳
TO-220F/TO-220F1
TO-263
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.8
2.5
0.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2第8
QW-R502-588.C