11N50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	11N50
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内容描述：	11A ， 500V N沟道功率MOSFET [11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 180 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

11N50

初步

功率MOSFET

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

符号

测试条件

开关特性

漏源击穿电压

DSS

= 0V时，我

=250µA

击穿电压温度系数

ΔBV

DSS

/ΔT

= 250μA ，引用至25℃

=500V, V

=0V

漏极 - 源极漏电流

DSS

= 500V ，T

=125°C

栅极 - 源极漏电流

GSS

=0V ,V

=±30V

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

= V

, I

=250µA

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10V ，我

=5.5A

动力参数

输入电容

国际空间站

=25V,V

=0V,f=1.0MHz

输出电容

OSS

反向传输电容

RSS

切换参数

总栅极电荷

=400V, V

= 10V ，我

=11A

栅极 - 源电荷

（注1,2）

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

D（上）

开启上升时间

= 250V ，我

= 11A ，R

=3Ω

（注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

关断下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

最大体二极管脉冲电流

漏源二极管的正向电压

= 11A ，V

=0V

体二极管反向恢复时间

= 0V时，我

=11A,

/ DT = 100A / μs的（注1 ）

体二极管反向恢复电荷

注： 1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.基本上是独立工作温度

民

500

0.5

典型最大单位

V /°C的

µA

100

µA

±100 nA的

Ω

μC

2.0

4.0

0.48 0.55

1515 2055

185 235

120

150

250

160

1.4

1.5

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

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