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型号: 11N90
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内容描述: 11安培, 900伏特N沟道功率MOSFET [11 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 194 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
11N90
初步
功率MOSFET
11安培, 900伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
11N90
是N沟道增强模式功率
使用FET UTC先进的技术,提供costomers与
平面条形和DMOS技术。这项技术专业
允许的最小导通电阻和出色的开关
性能。它也可以承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。
在UTC
11N90
在高效率的开关被普遍应用
模式电源,其
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* 11A , 900V ,R
DS ( ON)
= 1.1Ω @V
GS
= 10 V
*高开关速度
*改进dv / dt能力
* 100 %的雪崩测试
*无卤
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
11N90L-TA3-T
11N90G-TA3-T
11N90L-TF1-T
11N90G-TF1-T
注:引脚分配: G:门D:漏极
TO-220
TO-220F1
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-497.a