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    15N06 参数 Datasheet PDF下载

    15N06图片预览
    型号： 15N06
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型低阈值功率MOS晶体管 [N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 242 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号15N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号15N06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号15N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号15N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号15N06的Datasheet PDF文件第6页  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    15N06
    N沟道增强
    模式低阈值
    功率MOS晶体管
    描述
    在UTC
    15N06
    采用先进的沟槽技术，提供
    优秀的研发
    DS （ ON）
    ，低栅极电荷和操作与低门
    电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
    应用程序。
    功率MOSFET
    特点
    * R
    DS （ ON）
    <100mΩ @V
    GS
    = 5V ，我
    D
    =7.5A
    *低电容
    *低栅极电荷
    *快速开关能力
    *较高的雪崩能量
    符号
    2.Drain
    1.Gate
    3.Source
    订购信息
    订购数量
    无铅
    无卤
    15N06L-TA3-T
    15N06G-TA3-T
    15N06L-TF3-T
    15N06G-TF3-T
    15N06L-TN3-R
    15N06G-TN3-R
    包
    TO-220
    TO-220F
    TO-252
    引脚分配
    1
    2
    3
    G
    D
    S
    G
    D
    S
    G
    D
    S
    填料
    管
    管
    带盘
    www.unisonic.com.tw
    ©2009 Unisonic技术有限公司
    1 6
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