18N50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	18N50
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内容描述：	18A ， 500V N沟道功率MOSFET [18A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 204 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

18N50

18A ， 500V N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

18N50

是N沟道增强模式功率

UTC采用先进的平面条形和DMOS MOSFET技术

提供完美的性能。

这项技术可以在雪崩承受高能脉冲

和减刑模式。它可以提供的最低的通态电阻

和高开关速度。

此装置一般适用于有源功率因数校正

和高效率的开关电源。

功率MOSFET

TO-220F1

TO-220F2

特点

* R

DS （ ON）

=0.32Ω @ V

=10V

*高开关速度

*典型45nC低栅极电荷

* 100 ％的雪崩测试

*通常25PF低C

RSS

*改进dv / dt能力

TO-263

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

18N50L-TF1-T

18N50G-TF1-T

18N50L-TF2-T

18N50G-TF2-T

18N50L-TQ2-T

18N50G-TQ2-T

18N50L-TQ2-R

18N50G-TQ2-R

注：引脚分配： G：门

D：漏

S：源

包

TO-220F1

TO-220F2

TO-263

引脚分配

填料

管

带盘

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-477.G

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