1N60P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N60P
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内容描述：	1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET [1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	6 页 / 270 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

1N60P

1.2A ， 600V N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

1N60P

是一个高压功率MOSFET和是

设计成具有更好的特性，如快速开关

时，低栅电荷，低通态电阻和高的耐用

雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在

高速开关电源的应用， PWM马达

控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

=11.5Ω@V

= 10V.

*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型3.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

符号

订购信息

订购数量

包

无铅

无卤

1N60PL-T92-B

1N60PG-T92-B

TO-92

1N60PL-T92-K

1N60PG-T92-K

TO-92

1N60PL-T92-R

1N60PG-T92-R

TO-92

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

引脚分配

填料

磁带盒

体积

带盘

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-634.A

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