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2N60L 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N60L
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内容描述: 2安培, 􀀁600 / 650伏特N沟道MOSFET [2 Amps,􀀁600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 273 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2N60L
2安培, 600/650伏特
N沟道MOSFET
描述
在UTC
2N60L
是一个高电压MOSFET ,并设计成
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻,并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用, PWM马达
控制,高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
= 5Ω@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷(典型值9.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型5.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
*无铅电镀产品编号: 2N60LL
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
2N60L-x-TA3-T
2N60LL-x-TA3-T
TO-220
2N60L-x-TF3-T
2N60LL-x-TF3-T
TO-220F
2N60L-x-TM3-T
2N60LL-x-TM3-T
TO-251
2N60L-x-TN3-R
2N60LL-x-TN3-R
TO-252
2N60L-x-TN3-T
2N60LL-x-TN3-T
TO-252
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
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1第8
QW-R502-182,A