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2N60 参数 Datasheet PDF下载

2N60图片预览
型号: 2N60
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内容描述: MOS [MOS]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 366 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2N60
2安培, 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
1
TO-251
1
TO-220
功率MOSFET
描述
在UTC
2N60
是一个高电压MOSFET ,并设计成
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻,并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用, PWM马达
控制,高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
TO-220F
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 5Ω@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷(典型值9.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型5.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-252
无铅:
2N60L
无卤: 2N60G
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
2N60-x-TA3-T
2N60L-x-TA3-T
2N60-x-TF1-T
2N60L-x-TF1-T
2N60-x-TF3-T
2N60L-x-TF3-T
2N60-x-TM3-T
2N60L-x-TM3-T
2N60-x-TN3-R
2N60L-x-TN3-R
注:引脚分配: G:门D:漏极
2N60L-x-TA3-T
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
( 3 )漏源电压
( 4 )铅电镀
无卤
2N60G-x-TA3-T
2N60G-x-TF1-T
2N60G-x-TF3-T
2N60G-x-TM3-T
2N60G-x-TN3-R
S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-251
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
( 1 ) T:管, R:带卷轴
( 2 ) TA3 : TO- 220 , TF1 : TO- 220 -F1 , TF3 : TO- 220F
TM3 : TO- 251 , TN3 : TO- 252
( 3 )A: 600V , B: 650V
( 4 )G :无卤,L :无铅,无:铅/锡
www.unisonic.com.tw
©2009 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-053,I