UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2N70
2安培， 700伏特N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
2N70
是一个高电压MOSFET设计成具有
更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷
低通态电阻和高的耐用雪崩特性。
这种功率MOSFET通常用在高速开关
应用在电源供应器， PWM马达控制，高效
DC到DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 6.3Ω@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷（典型值8.1nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型5.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
2N70L-TA3-T
2N70G-TA3-T
TO-220
2N70L-TF1-T
2N70G-TF1-T
TO-220F1
2N70L-TF3-T
2N70G-TF3-T
TO-220F
2N70L-TM3-T
2N70G-TM3-T
TO-251
2N70L-TN3-R
2N70G-TN3-R
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
2N70L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
（ 1 ）R ：带卷轴，T ：管
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF1 ： TO- 220F1 ， TF3 ： TO- 220F ，
(2)
TM3 ： TO- 251 ， TN3 ： TO- 252
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
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1 6
QW-R502-334.C
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