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型号: 2SB1132
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内容描述: PNP塑封装晶体管 [PNP Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 64 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
   
TRANSYS
电子
L I M I T E ð
SOT- 89塑料封装晶体管
2SB1132
特点
功耗
P
CM
:
0.5
W(环境温度Tamb = 25℃)
3.
辐射源
晶体管( PNP )
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
1
2
3
集电极电流
-1
A
I
CM
:
集电极 - 基极电压
V
V
( BR ) CBO
: -40
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
TEST
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
-50
µA,
I
E
=0
IC 。
-1
妈,我
B
=0
I
E
=
-50
µA,
I
C
=0
V
CB
=
-20
V,I
E
=0
V
EB
=
-4
V,I
C
=0
V
CE
=
-3
V,I
C
=
-100
mA
I
C
=
-500
妈,我
B
=
-50
mA
V
CE
=
-5
V,I
C
=
-50
毫安, F =
30
兆赫
V
CB
=
-10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
-40
-32
-5
-0.5
-0.5
82
390
-0.5
150
20
30
µA
µA
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
P
82-180
BAP
Q
120-270
BAQ
R
180-390
BAR