2SB1198 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1198
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内容描述：	低频PNP晶体管 [LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 119 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UTC 2SB1198

PNP外延硅晶体管

低频PNP

晶体管

描述

在UTC 2SB1198是一个外延平面型PNP硅

晶体管。

特点

*高击穿电压： BV

首席执行官

= -80V

*低V

（SAT）： V

（SAT） = -0.2V （典型值）

（ IC / I

= -0.5A / -50mA ）

SOT-23

1 ：发射器

2 ：基本

3 ：收藏家

绝对最大额定值

（ TA = 25 ° C）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

范围

-80

-5

-0.5

0.2

150

-55 ~ +150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极基极击穿电压

集电极发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

跃迁频率

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

（SAT）

COB

测试条件

IC = -50μA

IC = -2mA

= -50μA

= -50V

= -4V

IC / I

= -0.5A / -50mA

= -3V ， IC = -0.1A

=-10V,I

= 50 mA时， F = 100MHz的

= -10V ，我

= 0 ， F = 1MHz的

民

-80

-5

典型值

最大

单位

μA

兆赫

-0.2

120

180

-0.5

390

分类的hFE的

秩

范围

记号

120-270

AKQ

180-390

AKR

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R206-040,A

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