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型号: 2SB1386
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内容描述: 低频PNP晶体管 [LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 174 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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2SB1386
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
P
C
T
J
T
英镑
PNP硅晶体管
评级
-30
-20
-6
-5
-10
0.5
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲) (注1)
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意: 1。单脉冲, PW = 10毫秒
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
测试条件
I
C
= -50μA
I
C
= -1mA
I
E
= -50μA
I
C
/I
B
= -4A/-0.1A
V
CB
= -20V
V
EB
= -5V
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -6V ,我
E
= 50mA时F = 30MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
-30
-20
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
pF
82
120
60
-1.0
-0.5
-0.5
390
分类h及
FE
范围
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R208-019,C