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    2SD1060 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1060图片预览
    型号： 2SD1060
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面硅晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 134 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号2SD1060的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1060的Datasheet PDF文件第3页  
    UTC 2SD1060
    NPN外延平面晶体管
    NPN外延平面硅
    晶体管
    特征
    *低集电极 - 发射极饱和电压：
    V
    CE（ SAT
    ） = 0.4V最大值/ I
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A
    1
    应用
    *适用于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，
    和其它普通的大电流开关。
    SOT-89
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    IC
    I
    CP
    P
    C
    Tj
    T
    英镑
    价值
    60
    50
    6
    5
    9
    1
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    电气特性
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    发射极 - 基极击穿电压
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    hFE1
    hFE2
    fT
    COB
    V
    CE
    （SAT）
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    t
    ON
    TSTG
    tf
    测试条件
    V
    CB
    =40V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =4V,I
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =1A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =3A,
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1A
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =∞
    I
    C
    =0, I
    E
    =1mA
    请参阅特定网络版测试电路
    请参阅特定网络版测试电路
    请参阅特定网络版测试电路
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    0.1
    0.1
    360
    单位
    mA
    mA
    70
    30
    30
    100
    0.4
    60
    50
    6
    0.1
    1.4
    0.2
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    V
    µs
    µs
    µs
    世界标准时间
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
    1
    QW-R208-023,B

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