2SD1616A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1616A
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内容描述：	NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	3 页 / 148 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UTC 2SD1616 / A

NPN外延硅晶体管

NPN硅外延

晶体管

描述

*音频功放

*中速开关

TO-92

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

绝对最大额定值

参数

储存温度

结温

总功耗（大= 25℃）

集电极 - 基极电压：

D1616

D1616A

集电极到发射极电压： D1616

D1616A

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲* ）

注：（ * ）脉冲width≤10ms ，职务cycle<50 ％

VEBO

VCEO

符号

TSTG

VCBO

价值

-55 ~+150

150

750

120

单位

°C

特征

(Ta=25°C)

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基极发射极电压

直流电流增益： D1616

D1616A

电流增益带宽积

输出电容

启动时间

符号

ICBO

IEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

hFE1

hFE2

COB

吨

测试条件

VCB=60V

VEB = 6V

IC = 1A ， IB = 50毫安

VCE = 2V ， IC = 50毫安

VCE = 2V ， IC =百毫安

VCE = 2V ， IC = 1A

VCE = 2V ， IC =百毫安

VCB = 10V ， F = 1MHz的

VCE = 10V ， IC =百毫安

分钟。

典型值。

马克斯。

100

0.3

1.2

700

600

400

单位

600

135

100

0.15

0.9

640

160

0.07

兆赫

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES

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