UTC 2SD1898
NPN外延硅晶体管
功率晶体管
特点
*高V
首席执行官
= 80V
*高I
C
= 1A （ DC ）
*良好的hFE线性度。
*低V
CE
（SAT）
*
补充2SB1260 。
1
SOT-89
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
参数
符号
等级
100
80
5
1
2
0.5
2
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
集电极 - 基极电压
V
CBO
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
V
EBO
集电极电流（DC）的
Ic
集电极电流（脉冲） * 1
ICP
集电极耗散功率* 2
Pc
集电极耗散功率* 2
Pc
结温
T
j
储存温度
T
英镑
* 1占空比= / 1/2 ， PW = 200毫秒
*2
当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
的hFE
V
CE
（SAT）
f
T
COB
P
82-180
测试条件
IC = 50μA
IC = 1毫安
I
E
=50μA
V
CB
= 80V ，我
E=
0A
V
EB
= 4V ，我
C=
0A
V
CE
= 3V ， IC = 0.5A
Ic=500mA,I
B
= 20mA下
V
CE
= 10V ，我
E
= -50毫安， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的
Q
120-270
民
100
80
5
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
82
0.15
100
20
1
1
390
0.4
分类的hFE的
秩
范围
R
180-390
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-030,A
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
