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    2SD313 参数 Datasheet PDF下载

    2SD313图片预览
    型号： 2SD313
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 54 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
       
    TRANSYS
    电子
    L I M I T E ð
    TO- 220塑封装晶体管
    2SD313
    晶体管（ NPN ）
    TO-220
    1.基地
    2.收集
    特点
    功耗
    P
    CM
    :
    1.75
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    3.辐射源
    集电极电流
    3
    A
    I
    CM
    :
    集电极 - 基极电压
    60
    V
    V
    （ BR ） CBO
    :
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    V
    CE
    =
    2
    V，I
    C
    =
    0.1
    A
    I
    C
    =
    2
    A，I
    B
    =
    200
    mA
    V
    CE
    =
    2
    V，I
    C
    =
    1
    A
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    500
    mA
    V
    CB
    =
    10
    V，I
    E
    =0,f=
    1
    兆赫
    123
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    IC 。
    100
    μA ，我
    E
    =0
    IC 。
    1
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    100
    μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    =
    60
    V，I
    E
    =0
    V
    CE
    =
    60
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    4
    V，I
    C
    =0
    V
    CE
    =
    2
    V，I
    C
    =
    1
    A
    60
    60
    5
    100
    1
    100
    40
    40
    1
    1.5
    8
    65
    320
    µA
    mA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    f
    T
    C
    ob
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    C
    40-80
    D
    60-120
    E
    100-200
    F
    160-320

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