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    2SD669 参数 Datasheet PDF下载

    2SD669图片预览
    型号： 2SD669
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 90 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号2SD669的Datasheet PDF文件第2页  
    TRANSYS
    电子
    L I M I T E ð
    TO- 126C塑料封装晶体管
    2SD669
    晶体管（ NPN ）
    TO-126C
    特点
    功耗
    P
    厘米：
    1
    W（环境温度Tamb = 25℃）
    1.发射器
    2.收集
    3. BASE
    集电极电流
    1.5
    A
    I
    厘米：
    集电极 - 基极电压
    180
    V
    V
    （ BR ） CBO
    :
    工作和存储结温范围
    T
    J
    , T
    英镑
    ： -55 ℃〜+ 150 ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    123
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    IC 。
    1
    妈，我
    E
    =0
    IC 。
    10
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    1
    妈，我
    C
    =0
    V
    CB
    =
    160
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    4
    V，I
    C
    =0
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    150
    mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    500
    mA
    I
    C
    =
    500
    妈，我
    B
    =
    50
    mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    150
    mA
    V
    CE
    =
    5
    V，I
    C
    =
    150
    mA
    V
    CB
    =
    10
    V，I
    E
    =0, f=
    1
    兆赫
    180
    120
    5
    10
    10
    60
    30
    1
    1.5
    140
    14
    320
    µA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    f
    T
    C
    ob
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    B
    60-120
    C
    100-200
    D
    160-320

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