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3N80图片预览
型号: 3N80
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内容描述: 2.5安培, 800伏特N沟道功率MOSFET [2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 栅极
文件页数/大小: 6 页 / 200 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
3N80
初步
功率MOSFET
2.5安培, 800伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
3N80
采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
特点
* R
DS ( ON)
=3.8Ω @V
GS
=10 V
*超低栅极电荷(典型的19 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型11 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
无铅:
3N80L
无卤: 3N80G
符号
2.Drain
3.Gate
1.Source
订购信息
正常
3N80-TA3-T
3N80-TF3-T
订购数量
无铅
3N80L-TA3-T
3N80L-TF3-T
无卤
3N80G-TA3-T
3N80G-TF3-T
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2008 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-283,a