4N40
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
400
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续（T
C
=25°C)
I
D
4
A
漏电流
8
A
脉冲（注1 ）
I
DM
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
60
W
功耗
TO-220F
27
W
P
D
TO-220
0.48
W / ℃，
减免上述25℃
TO-220F
0.22
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
2.08
4.5
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
最小值典型值
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
400
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
=400V, V
GS
=0V
前锋
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
栅源漏电流
I
GSS
反向
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
2.0
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
1.2
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
12
V
DD
= 200V ，我
D
= 4A ，R
G
=25Ω
上升时间
t
R
42
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
（注2,3）
130
下降时间
t
F
62
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
S
= 4A ，V
GS
= 0V ，二
F
/ DT = 100A / μs的（注2 ）
800
注意事项： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
3.基本上不受工作温度
最大单位
V
1
µA
100 nA的
-100 nA的
4.0
1.5
750
150
100
45
60
200
100
1.4
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
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2 3
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