4N50 参数 Datasheet PDF下载

型号：	4N50
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内容描述：	4A ， 500V N沟道功率MOSFET [4A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 179 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

4N50

初步

功率MOSFET

4A ， 500V N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

4N50

是用一个N沟道型功率MOSFET的

UTC的先进技术，为客户提供平面条形

和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态

电阻和出色的开关性能。它也能承受

在高能量脉冲雪崩和减刑模式。

在UTC

4N50

一般适用于高效率开关模式

电源，有源功率因数校正和电子灯

基于半桥拓扑镇流器。

TO-252

TO-220

特点

* R

DS （ ON）

=2.2Ω @ V

=10V

*高开关速度

* 100 ％的雪崩测试

TO-220F

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

4N50L-TA3-T

4N50G-TA3-T

4N50L-TF3-T

4N50G-TF3-T

4N50L-TN3-R

4N50G-TN3-R

引脚分配： G：门D：漏极

S：源

包

TO-220

TO-220F

TO-252

引脚分配

填料

管

带盘

注意：

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-525.c

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