UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
4N80
初步
功率MOSFET
4.0安培, 800伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
4N80
是一个N沟道模式功率场效应晶体管。它采用UTC的
先进的技术,提供costomers平面条形和DMOS
技术。该技术是专门从事允许的最小
通态电阻,以及优越的开关性能。它也可以
承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
4N80
在高效率开关模式被普遍应用
电源。
1
TO-220
1
TO-220F
1
TO-220F1
特点
* 4.0A , 800V ,R
DS ( ON)
=3.6Ω @V
GS
=10V
*高开关速度
*改进dv / dt能力
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N80L-TA3-T
4N80G-TA3-T
4N80L - TF3-牛逼
4N80G - TF3-牛逼
4N80L - TF1-牛逼
4N80G - TF1-牛逼
注:引脚分配: G:门D:漏极
包
TO-220
TO-220F
TO-220F1
S:源
1
G
G
G
引脚分配
2
D
D
D
3
S
S
S
填料
管
管
管
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1 6
QW-R502-505.a