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型号: 5N65
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内容描述: 5A , 650V N沟道功率MOSFET [5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 248 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
5N65
5A , 650V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
5N65
是一个高压功率MOSFET设计成具有
更好的特性,如快速切换时间,低栅极电荷
低通态电阻和高的耐用雪崩特性。
这种功率MOSFET通常是在高速开关使用
在电源供应器, PWM马达控制,高效率的DC应用
至DC转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
1
TO-252
TO-251
1
TO-220
特点
* R
DS ( ON)
= 2.4Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的15 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型6.5 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-220F
符号
2.Drain
1
TO-220F1
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
5N65L-TA3-T
5N65G-TA3-T
5N65L-TF3-T
5N65G-TF3-T
5N65L-TF1-T
5N65G-TF1-T
5N65L-TM3-T
5N65G-TM3-T
5N65L-TN3-T
5N65G-TN3-T
5N65L-TN3-R
5N65G-TN3-R
引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F
TO-220F1
TO-251
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
注意:
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-592.B