5N80
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
反向
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
栅源漏电流
静态漏源导通电阻
在国家漏极电流
正向跨导（注1 ）
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
交叉时间
导通电流斜率
初步
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
C
（ di / dt的）
on
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值×0.8 ，
T
C
=125°C
V
GS
=+20V
V
GS
=-20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A ，T
C
=100°C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
×R
DS （ ON）
最大，
V
GS
=10V
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
×R
DS （ ON）
马克斯，我
D
=2.5A
功率MOSFET
民
800
250
1000
+100
-100
3
1.8
5
2
4
1190
165
70
75
9
33
50
85
120
30
160
200
1450
200
85
95
5
2.6
4
µA
nA
nA
V
Ω
A
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A / μs的
典型值
最大
单位
V
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
V
GS
=10V, V
DD
= 500V ，我
D
=6A
V
DD
= 400V ，我
D
= 2.5A ，R
G
=50Ω
V
GS
= 10V （见测试电路，图3）的
V
DD
= 640V ，我
D
= 5.5A ，R
G
=50Ω
V
GS
= 10V （见测试电路，图5）的
65
105
150
40
200
V
DD
= 640V ，我
D
= 5.5A ，R
G
=50Ω
V
GS
= 10V （见测试电路，图5）的
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= 5.5A ，V
GS
=0V
（注1 ）
反向恢复时间
t
RR
I
SD
=5.5A,dI/dt=100A/µs,
V
DD
=80V,T
J
=150°C
反向恢复电荷
Q
RR
（见测试电路，图5）
反向恢复电流
I
RRM
源极 - 漏极电流
I
SD
源极 - 漏极电流（脉冲）
I
SDM
（注1 ）
注：1。脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50V
2
700
7.7
22
5.5
20
V
ns
nC
A
A
A
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www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-483.b
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
