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型号: 6N50
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内容描述: 6A , 500V N沟道功率MOSFET [6A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 167 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
6N50
初步
功率MOSFET
6A , 500V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
6N50
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术,为客户提供平面条形
和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻和出色的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
6N50
一般适用于高效率开关模式
电源,有源功率因数校正和电子灯
基于半桥拓扑镇流器。
1
TO-220
1
TO-220F
特点
* V
DS
= 500V
* I
D
= 6A
* R
DS ( ON)
=1.15Ω @ V
GS
=10V
*高开关速度
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
6N50L-TA3-T
6N50G-TA3-T
6N50L-TF3-T
6N50G-TF3-T
引脚分配: G:门D:漏极
S:源
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
注意:
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-526.b