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型号: 6N80
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内容描述: 6A , 800V N沟道功率MOSFET [6A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 194 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
6N80
初步
功率MOSFET
6A , 800V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
6N80
是使用N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术,为客户提供平面条形
和DMOS技术。这项技术专门允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
6N80
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
1
TO-220
1
TO-220F
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 2.0Ω @V
GS
= 10 V
*改进dv / dt能力
*快速切换
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
6N80L-TA3-T
6N80G-TA3-T
6N80L-TF3-T
6N80G-TF3-T
6N80L-TF1-T
6N80G-TF1-T
注:引脚分配: G:门D:漏极
TO-220
TO-220F
TO-220F1
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-500.b