7N60L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	7N60L
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内容描述：	7.4安培， 600/650伏特N沟道MOSFET [7.4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 183 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

7N60L

7.4安培， 600/650伏特

N沟道MOSFET

描述

在UTC

7N60L

是一个高电压MOSFET ，并设计成

有更好的特性，如快速开关时间，低门

电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩

的特点。这个功率MOSFET通常用在高速

开关应用在开关电源和适配器。

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

= 1.2Ω @V

= 10 V

*超低栅极电荷（典型的29 NC）

*低反向传输电容（C

RSS

= 16pF的典型）

*快速开关能力

*雪崩能量测试

*改进dv / dt能力，高耐用性

*无铅电镀产品编号： 7N60LL

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

包

正常

无铅电镀

7N60L-x-TA3-T

7N60LL-x-TA3-T

TO-220

7N60L-x-TF3-T

7N60LL-x-TF3-T

TO-220F

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

引脚分配

填料

管

www.unisonic.com.tw

1 7

QW-R502-189.A

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