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A1015 参数 Datasheet PDF下载

A1015图片预览
型号: A1015
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内容描述: PNP外延硅晶体管 [PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 65 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
 浏览型号A1015的Datasheet PDF文件第2页  
UTC 2SA1015
PNP外延硅晶体管
低频PNP
晶体管放大器
特点
*集电极 - 发射极电压:
BV
首席执行官
=-50V
*集电极电流高达150mA
*高线性度的hFE
*补到2SC1815
1
TO-92
1 :发射器2 :收藏家3 : BASE
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散
集电极电流
基极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
I
B
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
400
-150
-50
125
-65 ~ +150
单位
V
V
V
mW
mA
mA
°C
°C
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益(注)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
COB
NF
测试条件
Ic=-100µA,I
E
=0
Ic=-10mA,I
B
=0
I
E
=-10µA,Ic=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,Ic=0
V
CE
=-6V,Ic=-2mA
V
CE
=-6V,Ic=-150mA
Ic=-100mA,I
B
=-10mA
Ic=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-10V,Ic=-1mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
Ic=-0.1mA,V
CE
=-6V
R
G
=1kΩ,f=100Hz
-50
-50
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
70
25
-0.1
80
4.0
0.5
-100
-100
400
-0.3
-1.1
7.0
6
V
V
兆赫
pF
dB
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R201-004,A