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B772 参数 Datasheet PDF下载

B772图片预览
型号: B772
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内容描述: 中功率低电压晶体管 [MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 50 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
 浏览型号B772的Datasheet PDF文件第2页  
UTC 2SB772
PNP外延硅晶体管
中功率低电压
晶体管
描述
在UTC 2SB772是一个中等功率低压
晶体管,设计用于音频功率放大器,直流 - 直流
转换器和电压调节器。
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SD882
1
TO-126
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散( TC = 25 ° C)
集电极耗散( TA = 25 ° C)
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Pc
Ic
Ic
I
B
T
j
T
英镑
价值
-40
-30
-5
10
1
-3
-7
-0.6
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
W
W
A
A
A
°C
°C
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益(注1 )
符号
测试条件
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-3V,Ic=0
V
CE
=-2V,Ic=-20mA
V
CE
=-2V,Ic=-1A
Ic=-2A,I
B
=-0.2A
Ic=-2A,I
B
=-0.2A
V
CE
=-5V,Ic=-0.1A
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
典型值
最大
-1000
-1000
单位
nA
nA
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(SAT)
基射极饱和电压
V
BE
(SAT)
电流增益带宽积
f
T
输出电容
COB
注1 :脉冲测试: PW<300μs ,职务Cycle<2 %
30
100
200
150
-0.3
-1.0
80
45
400
-0.5
-2.0
V
V
兆赫
pF
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES
CO。 LTD。
1
QW-R204-002,A