BC846 BC850 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 30 V ， （E打开）
V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200 μA ，R
G
= 2 kΩ
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC846 BC848 ...
BC849 BC850 ...
F
F
R
THA
–
–
2分贝
1.2分贝
< 420 K / W
1
)
BC856 BC859 ...
BC846A 1A =
BC847A 1E =
BC848A = 1J
BC846B 1B =
BC847B 1F =
BC848B = 1K
BC849B = 2B
BC850B = 2F
BC847C = 1G
BC848C = 1L
BC849C = 2C
BC850C = 2G
10分贝
4分贝
C
EB0
–
9 pF的
–
C
CBO
–
3.5 pF的
6 pF的
f
T
–
300兆赫
–
I
EB0
–
–
100 nA的
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
15 nA的
5 µA
V
BE
V
BE
580毫伏
–
660毫伏
–
700毫伏
720毫伏
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbare Stromverstärkungs-
GRUPPEN亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
