MJE13007
典型特征
图2.基射极饱和电压
1.4
基Emitte饱和电压，
V
BE （ SAT ）
(V)
集电极Emitte饱和电压，
V
CE （ SAT ）
(V)
NPN硅晶体管
图3.集电极 - 发射极饱和电压
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
I
C
=-40℃
25℃
100℃
2
5 10
I
C
/I
B
=5
I
C
/I
B
=5
1.2
1
I
C
=-40℃
0.8
0.6
25℃
100℃
0.4
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1
2
5 10
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1
集电极电流，I
C
(A)
集电极电流，I
C
(A)
图4.集电极饱和区
3
集电极 - 发射极电压，
V
CE
(V)
图5.直流电流增益
100
直流电流增益，H
FE
T
J
=25℃
V
CE
=5
T
J
=100℃
25℃
2.5
2
1.5
1
0.5
I
C
=1A
0.5 1
2 3 5
10
I
C
=5A
I
C
=3A
I
C
=8A
10
40℃
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
1
0.01
0.1
1
10
基极电流，我
B
(A)
集电极电流，I
C
(A)
图6.电容
10000
T
J
=25℃
100
50
图7.最大正向偏置安全
工作区
EXTENDED
SOA@1μs,10μs
1μs
集电极电流，I
C
(A)
10
100
1000
电容C （PF ）
C
ib
1000
C
ob
100
20
10
10
0.1
1
10
5
T
C
=25℃
μs
2
1ms
DC
1
5ms
0.5
0.2
焊线LIMIT
0.1
热限制
0.05
第二击穿极限
曲线适用BELOW
0.02
为V
CE Ø
0.01
10 20 30 50 70 100 200300 500 1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
反向电压，V
R
(V)
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5 6
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UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
