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    TIP112 参数 Datasheet PDF下载

    TIP112图片预览
    型号： TIP112
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延硅达林顿晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管达林顿晶体管开关PC局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 103 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号TIP112的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIP112的Datasheet PDF文件第3页  
    UTC TIP112
    NPN外延平面晶体管
    NPN硅外延
    达林顿晶体管
    特点
    *高直流电流增益：H
    FE
    = 1000 @V
    CE
    = 4V ， IC = 1A （最小值）
    *低集电极 - 发射极饱和电压
    *工业用
    等效试验
    （ R1≅10kΩ ， R2≅0.6Ω ）
    B
    C
    E
    TO-220
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流（DC）的
    集电极耗散（ TA = 25 ° C）
    集电极耗散（TC = 25 ° C）
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    Ic
    ICP
    I
    B
    Pc
    Pc
    Tj
    T
    英镑
    价值
    100
    100
    5
    2
    4
    50
    2
    50
    150
    -65 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    W
    W
    °C
    °C
    电气特性
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    输出电容
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    COB
    测试条件
    I
    C
    = 30mA时我
    B
    =0
    V
    CB
    = 100V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 50V ，我
    B
    =0
    V
    BE
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =4V
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =4V
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =8mA
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    =2A
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f =为0.1MHz
    分钟。
    100
    典型值。
    马克斯。
    1
    2
    2
    单位
    V
    mA
    mA
    mA
    1000
    500
    2.5
    2.8
    100
    V
    V
    pF
    世界标准时间
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
    1
    QW-R203-022,A

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